PE636BA - аналоги и даташиты транзистора

 

PE636BA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PE636BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 17.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 139 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3P
 

 Аналог (замена) для PE636BA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PE636BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:521K  unikc
 pe636ba.pdf pdf_icon

PE636BA

PE636BAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID9m @VGS = 10V30V 33APDFN 3X3PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30 VVGSGate-Source Voltage 20 VTc = 25 C33Tc = 100 C21IDContinuous Drain Current3TA = 25 C10ATA= 70

 ..2. Size:429K  niko-sem
 pe636ba.pdf pdf_icon

PE636BA

PE636BA N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM PDFN 3x3P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY DV(BR)DSS RDS(ON) ID 30V 9m 33A D D D DGG : GATE S #1 S S S G D : DRAIN S : SOURCE ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source Volta

Другие MOSFET... PE601CA , PE606BA , PE610SA , PE614DX , PE616BA , PE618BA , PE618DT , PE632BA , IRFP450 , PE642DT , APM2318A , APM3055L , APM4008NG , APM4008NU , APM4010NU , APM4012NU , APM4015K .

 

 
Back to Top

 


 
.