PE636BA - описание и поиск аналогов

 

PE636BA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PE636BA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 17.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 139 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: PDFN3X3P

Аналог (замена) для PE636BA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PE636BA даташит

 ..1. Size:521K  unikc
 pe636ba.pdf pdf_icon

PE636BA

 ..2. Size:429K  niko-sem
 pe636ba.pdf pdf_icon

PE636BA

PE636BA N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM PDFN 3x3P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY D V(BR)DSS RDS(ON) ID 30V 9m 33A D D D D G G GATE S #1 S S S G D DRAIN S SOURCE ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source Volta

Другие MOSFET... PE601CA , PE606BA , PE610SA , PE614DX , PE616BA , PE618BA , PE618DT , PE632BA , AO4407 , PE642DT , APM2318A , APM3055L , APM4008NG , APM4008NU , APM4010NU , APM4012NU , APM4015K .

History: MTDP9620Q8

 

 

 

 

↑ Back to Top
.