PE642DT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PE642DT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 19 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 31 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0105 Ohm
Encapsulados: PDFN3X3S
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PE642DT datasheet
pe642dt.pdf
PE642DT Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 9m @VGS = 10V Q2 30V 34A 10.5m @VGS = 10V Q1 30V 31A PDFN 3X3S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL Q2 Q1 UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 20 TC = 25 C 34 31 ID Continuous Drain Current3 T
pe642dt.pdf
Dual N-Channel Enhancement Mode PE642DT NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 3x3S Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1 G1 9m Q2 30V 34A 2,3,4 D1 5,6,7 S2 8 G2 Q1 30V 10.5m 31A 9 S1/D2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL Q2 Q1 UNITS Drain-Source Voltage VDS 30 30 V
Otros transistores... PE606BA , PE610SA , PE614DX , PE616BA , PE618BA , PE618DT , PE632BA , PE636BA , BS170 , APM2318A , APM3055L , APM4008NG , APM4008NU , APM4010NU , APM4012NU , APM4015K , APM4015PU .
History: AGM30P20AP
History: AGM30P20AP
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Liste
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