Справочник MOSFET. PE642DT

 

PE642DT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PE642DT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 19 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 31 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3S

 Аналог (замена) для PE642DT

 

 

PE642DT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:790K  unikc
 pe642dt.pdf

PE642DT PE642DT

PE642DTDual N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID9m @VGS = 10VQ2 30V 34A10.5m @VGS = 10VQ1 30V 31APDFN 3X3SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL Q2 Q1 UNITSVDSDrain-Source Voltage 30 30VVGSGate-Source Voltage 20 20TC = 25 C34 31IDContinuous Drain Current3T

 ..2. Size:335K  niko-sem
 pe642dt.pdf

PE642DT PE642DT

Dual N-Channel Enhancement Mode PE642DTNIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 3x3S Halogen-Free & Lead-FreePRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1 : G1 9m Q2 30V 34A 2,3,4 : D15,6,7 : S2 8 : G2 Q1 30V 10.5m 31A 9 : S1/D2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL Q2 Q1 UNITSDrain-Source Voltage VDS 30 30 V

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top