PE642DT - описание и поиск аналогов

 

PE642DT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PE642DT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 19 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 31 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm

Тип корпуса: PDFN3X3S

Аналог (замена) для PE642DT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PE642DT даташит

 ..1. Size:790K  unikc
 pe642dt.pdf pdf_icon

PE642DT

PE642DT Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 9m @VGS = 10V Q2 30V 34A 10.5m @VGS = 10V Q1 30V 31A PDFN 3X3S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL Q2 Q1 UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 20 TC = 25 C 34 31 ID Continuous Drain Current3 T

 ..2. Size:335K  niko-sem
 pe642dt.pdf pdf_icon

PE642DT

Dual N-Channel Enhancement Mode PE642DT NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 3x3S Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1 G1 9m Q2 30V 34A 2,3,4 D1 5,6,7 S2 8 G2 Q1 30V 10.5m 31A 9 S1/D2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL Q2 Q1 UNITS Drain-Source Voltage VDS 30 30 V

Другие MOSFET... PE606BA , PE610SA , PE614DX , PE616BA , PE618BA , PE618DT , PE632BA , PE636BA , BS170 , APM2318A , APM3055L , APM4008NG , APM4008NU , APM4010NU , APM4012NU , APM4015K , APM4015PU .

History: MTD6N15T4GV | MDD1851RH

 

 

 

 

↑ Back to Top
.