Справочник MOSFET. PE642DT

 

PE642DT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PE642DT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 19 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 31 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3S
 

 Аналог (замена) для PE642DT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PE642DT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:790K  unikc
 pe642dt.pdf pdf_icon

PE642DT

PE642DTDual N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID9m @VGS = 10VQ2 30V 34A10.5m @VGS = 10VQ1 30V 31APDFN 3X3SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL Q2 Q1 UNITSVDSDrain-Source Voltage 30 30VVGSGate-Source Voltage 20 20TC = 25 C34 31IDContinuous Drain Current3T

 ..2. Size:335K  niko-sem
 pe642dt.pdf pdf_icon

PE642DT

Dual N-Channel Enhancement Mode PE642DTNIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 3x3S Halogen-Free & Lead-FreePRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1 : G1 9m Q2 30V 34A 2,3,4 : D15,6,7 : S2 8 : G2 Q1 30V 10.5m 31A 9 : S1/D2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL Q2 Q1 UNITSDrain-Source Voltage VDS 30 30 V

Другие MOSFET... PE606BA , PE610SA , PE614DX , PE616BA , PE618BA , PE618DT , PE632BA , PE636BA , 18N50 , APM2318A , APM3055L , APM4008NG , APM4008NU , APM4010NU , APM4012NU , APM4015K , APM4015PU .

History: IPA60R750E6 | 2SK1165 | RFP12N08L | HY3708M | AON6918 | GT1003A | CS10N60FA9R

 

 
Back to Top

 


 
.