APM4101K Todos los transistores

 

APM4101K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: APM4101K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 29 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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APM4101K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:205K  anpec
 apm4101k.pdf pdf_icon

APM4101K

APM4101KDual N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionD1D1 40V/9A,D2D2RDS(ON)= 12m (typ.) @ VGS=10VRDS(ON)= 20m (typ.) @ VGS=5VS1G1 Super High Dense Cell DesignS2G2 Reliable and RuggedTop View of SOP-8 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)D1 D1 D2 D2ApplicationsG1 G2 Power Management in LCD Monitor/TV Inverter.

 9.1. Size:206K  anpec
 apm4115pu.pdf pdf_icon

APM4101K

APM4115PUP-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description -40V/-45A, RDS(ON)= 12.5m (typ.) @ VGS=-10VDG RDS(ON)= 18.5m (typ.) @ VGS=-4.5V Super High Dense Cell DesignS Reliable and Rugged Top View of TO-252-3 Lead Free and Green Devices Available (RoHSSCompliant)ApplicationsG Power Management in LCD TV InverterDP-Channel MOSFETOrderin

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History: 2SK3822B | SIHFIZ48G

 

 
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