APM4101K MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: APM4101K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 29 nC
trⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
Тип корпуса: SOP8
APM4101K Datasheet (PDF)
apm4101k.pdf
APM4101KDual N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionD1D1 40V/9A,D2D2RDS(ON)= 12m (typ.) @ VGS=10VRDS(ON)= 20m (typ.) @ VGS=5VS1G1 Super High Dense Cell DesignS2G2 Reliable and RuggedTop View of SOP-8 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)D1 D1 D2 D2ApplicationsG1 G2 Power Management in LCD Monitor/TV Inverter.
apm4115pu.pdf
APM4115PUP-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description -40V/-45A, RDS(ON)= 12.5m (typ.) @ VGS=-10VDG RDS(ON)= 18.5m (typ.) @ VGS=-4.5V Super High Dense Cell DesignS Reliable and Rugged Top View of TO-252-3 Lead Free and Green Devices Available (RoHSSCompliant)ApplicationsG Power Management in LCD TV InverterDP-Channel MOSFETOrderin
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD | SRN1660F