IRF350 Todos los transistores

 

IRF350 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF350
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 190(max) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 680 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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IRF350 datasheet

 ..1. Size:144K  international rectifier
2n6768 irf350.pdf pdf_icon

IRF350

PD - 90339F IRF350 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6768 HEXFET TRANSISTORS JANTXV2N6768 THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF MIL-PRF-19500/543] 400V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF350 400V 0.300 14A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique proces... See More ⇒

 ..2. Size:341K  st
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IRF350

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IRF350

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 0.1. Size:223K  international rectifier
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IRF350

PD - 97696A AUTOMOTIVE GRADE AUIRF3504 Features HEXFET Power MOSFET l Advanced Planar Technology l Low On-Resistance D V(BR)DSS 40V l 175 C Operating Temperature RDS(on) typ. l Fast Switching 7.8m l Fully Avalanche Rated G max 9.2m l Repetitive Avalanche Allowed S ID 87A up to Tjmax l Lead-Free, RoHS Compliant l Automotive Qualified* D Description Specifically des... See More ⇒

Otros transistores... IRF330 , IRF3315 , IRF3315L , IRF3315S , IRF340 , IRF3415 , IRF3415L , IRF3415S , 2N60 , IRF3515S , IRF360 , IRF3710 , IRF3710L , IRF3710S , IRF430 , IRF440 , IRF450 .

 

 
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