IRF350 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRF350
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 190(max) nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 680 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3
Búsqueda de reemplazo de IRF350 MOSFET
IRF350 Datasheet (PDF)
2n6768 irf350.pdf

PD - 90339FIRF350REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6768HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6768THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF:MIL-PRF-19500/543]400V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF350 400V 0.300 14AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique proces
auirf3504.pdf

PD - 97696AAUTOMOTIVE GRADEAUIRF3504FeaturesHEXFET Power MOSFETl Advanced Planar Technologyl Low On-Resistance DV(BR)DSS40Vl 175C Operating TemperatureRDS(on) typ.l Fast Switching 7.8ml Fully Avalanche Rated G max 9.2ml Repetitive Avalanche AllowedSID87Aup to Tjmaxl Lead-Free, RoHS Compliantl Automotive Qualified*DDescriptionSpecifically des
Otros transistores... IRF330 , IRF3315 , IRF3315L , IRF3315S , IRF340 , IRF3415 , IRF3415L , IRF3415S , IRF830 , IRF3515S , IRF360 , IRF3710 , IRF3710L , IRF3710S , IRF430 , IRF440 , IRF450 .



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: SLI13N50C | SLH95R130GTZ | SLH65R180E7C | SLH60R075GTDI | SLH60R043E7D | SLH10RN20T | SLF95R760GTZ | SLF16N65S | SLF12N65SV | SLF10N65SV | SLE65R1K2E7 | SLD95R3K2GTZ | SLD90N03TB | SLD90N02TB | SLD8N65SV | SLD8N50UD
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