IRF350 Todos los transistores

 

IRF350 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF350

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 190 max nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 680 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm

Encapsulados: TO3

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IRF350 datasheet

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IRF350

PD - 90339F IRF350 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6768 HEXFET TRANSISTORS JANTXV2N6768 THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF MIL-PRF-19500/543] 400V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF350 400V 0.300 14A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique proces

 ..2. Size:341K  st
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IRF350

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IRF350

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IRF350

PD - 97696A AUTOMOTIVE GRADE AUIRF3504 Features HEXFET Power MOSFET l Advanced Planar Technology l Low On-Resistance D V(BR)DSS 40V l 175 C Operating Temperature RDS(on) typ. l Fast Switching 7.8m l Fully Avalanche Rated G max 9.2m l Repetitive Avalanche Allowed S ID 87A up to Tjmax l Lead-Free, RoHS Compliant l Automotive Qualified* D Description Specifically des

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