IRF350 - описание и поиск аналогов

 

IRF350. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRF350

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 190 max ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 680 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: TO3

Аналог (замена) для IRF350

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF350 даташит

 ..1. Size:144K  international rectifier
2n6768 irf350.pdfpdf_icon

IRF350

PD - 90339F IRF350 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6768 HEXFET TRANSISTORS JANTXV2N6768 THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF MIL-PRF-19500/543] 400V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF350 400V 0.300 14A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique proces

 ..2. Size:341K  st
irf350.pdfpdf_icon

IRF350

 ..3. Size:216K  samsung
irf350 irf351 irf352 irf353.pdfpdf_icon

IRF350

 0.1. Size:223K  international rectifier
auirf3504.pdfpdf_icon

IRF350

PD - 97696A AUTOMOTIVE GRADE AUIRF3504 Features HEXFET Power MOSFET l Advanced Planar Technology l Low On-Resistance D V(BR)DSS 40V l 175 C Operating Temperature RDS(on) typ. l Fast Switching 7.8m l Fully Avalanche Rated G max 9.2m l Repetitive Avalanche Allowed S ID 87A up to Tjmax l Lead-Free, RoHS Compliant l Automotive Qualified* D Description Specifically des

Другие MOSFET... IRF330 , IRF3315 , IRF3315L , IRF3315S , IRF340 , IRF3415 , IRF3415L , IRF3415S , 2N60 , IRF3515S , IRF360 , IRF3710 , IRF3710L , IRF3710S , IRF430 , IRF440 , IRF450 .

History: PJD6NA40 | STH8N80

 

 

 


 
↑ Back to Top
.