Справочник MOSFET. IRF350

 

IRF350 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF350
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 190(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 680 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: TO3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF350 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:144K  international rectifier
2n6768 irf350.pdfpdf_icon

IRF350

PD - 90339FIRF350REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6768HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6768THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF:MIL-PRF-19500/543]400V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF350 400V 0.300 14AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique proces

 ..2. Size:341K  st
irf350.pdfpdf_icon

IRF350

 ..3. Size:216K  samsung
irf350 irf351 irf352 irf353.pdfpdf_icon

IRF350

 0.1. Size:223K  international rectifier
auirf3504.pdfpdf_icon

IRF350

PD - 97696AAUTOMOTIVE GRADEAUIRF3504FeaturesHEXFET Power MOSFETl Advanced Planar Technologyl Low On-Resistance DV(BR)DSS40Vl 175C Operating TemperatureRDS(on) typ.l Fast Switching 7.8ml Fully Avalanche Rated G max 9.2ml Repetitive Avalanche AllowedSID87Aup to Tjmaxl Lead-Free, RoHS Compliantl Automotive Qualified*DDescriptionSpecifically des

Другие MOSFET... IRF330 , IRF3315 , IRF3315L , IRF3315S , IRF340 , IRF3415 , IRF3415L , IRF3415S , MMD60R360PRH , IRF3515S , IRF360 , IRF3710 , IRF3710L , IRF3710S , IRF430 , IRF440 , IRF450 .

History: OSG55R099HSZF | SHD225615 | G2305 | FHF15N60A | PJZ9NA90 | SM4485 | ECH8320

 

 
Back to Top

 


 
.