APM4826K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: APM4826K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 25.3 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET APM4826K

APM4826K Datasheet (PDF)

..1. Size:185K anpec
apm4826k.pdf

APM4826KN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionDD 30V/11A,DDRDS(ON) =9.5m(Typ.) @ VGS = 10VRDS(ON) =13.5m(Typ.) @ VGS = 4.5VSS Super High Dense Cell DesignSG Avalanche RatedSOP-8 Reliable and Rugged(5,6,7,8)D D D D Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications (4) G Power Management in Notebook Computer

8.1. Size:206K anpec
apm4820k.pdf

APM4820KN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionDD 30V/11A,DDRDS(ON) =12m(Typ.) @ VGS = 10VRDS(ON) =18m(Typ.) @ VGS = 4.5VSS Super High Dense Cell DesignSG Reliable and RuggedSOP-8 Lead Free and Green Devices Available(5,6,7,8)D D D D(RoHS Compliant)Applications(4) G Power Management in Notebook Computer,Portable Equipmen

8.2. Size:218K anpec
apm4828k.pdf

APM4828KN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionDDD 30V/12A,DRDS(ON) =12m(Max.) @ VGS =10VSRDS(ON) =18m(Max.) @ VGS =4.5VSS Super High Dense Cell DesignG Avalanche RatedSOP-8 Reliable and Rugged(5,6,7,8)D D D D Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)(4) GApplications Power Management in Notebook Computer,a

8.3. Size:835K cn vbsemi
apm4828kc-trl.pdf

APM4828KC-TRLwww.VBsemi.twN-Channel 20V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.012 at VGS = 10 V 1220 6.1 nC Optimized for High-Side Synchronous0.015 at VGS = 4.5 V 11Rectifier Operation 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Notebook CPU Core- High-Side Switc

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Liste

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