Справочник MOSFET. APM4826K

 

APM4826K MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: APM4826K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Время нарастания (tr): 12 ns
   Выходная емкость (Cd): 170 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.012 Ohm
   Тип корпуса: SOP8

 Аналог (замена) для APM4826K

 

 

APM4826K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:185K  anpec
apm4826k.pdf

APM4826K
APM4826K

APM4826KN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionDD 30V/11A,DDRDS(ON) =9.5m(Typ.) @ VGS = 10VRDS(ON) =13.5m(Typ.) @ VGS = 4.5VSS Super High Dense Cell DesignSG Avalanche RatedSOP-8 Reliable and Rugged(5,6,7,8)D D D D Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications (4) G Power Management in Notebook Computer

 8.1. Size:206K  anpec
apm4820k.pdf

APM4826K
APM4826K

APM4820KN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionDD 30V/11A,DDRDS(ON) =12m(Typ.) @ VGS = 10VRDS(ON) =18m(Typ.) @ VGS = 4.5VSS Super High Dense Cell DesignSG Reliable and RuggedSOP-8 Lead Free and Green Devices Available(5,6,7,8)D D D D(RoHS Compliant)Applications(4) G Power Management in Notebook Computer,Portable Equipmen

 8.2. Size:218K  anpec
apm4828k.pdf

APM4826K
APM4826K

APM4828KN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionDDD 30V/12A,DRDS(ON) =12m(Max.) @ VGS =10VSRDS(ON) =18m(Max.) @ VGS =4.5VSS Super High Dense Cell DesignG Avalanche RatedSOP-8 Reliable and Rugged(5,6,7,8)D D D D Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)(4) GApplications Power Management in Notebook Computer,a

 8.3. Size:835K  cn vbsemi
apm4828kc-trl.pdf

APM4826K
APM4826K

APM4828KC-TRLwww.VBsemi.twN-Channel 20V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.012 at VGS = 10 V 1220 6.1 nC Optimized for High-Side Synchronous0.015 at VGS = 4.5 V 11Rectifier Operation 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Notebook CPU Core- High-Side Switc

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top