IRF360 Todos los transistores

 

IRF360 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF360

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 140 max nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 900 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm

Encapsulados: TO3

 Búsqueda de reemplazo de IRF360 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

IRF360 datasheet

 ..1. Size:139K  international rectifier
irf360.pdf pdf_icon

IRF360

PD - 90518 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRF360 400V, N-CHANNEL HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-204AA/AE) Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF360 400V 0.20 25A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this latest State of the Art design a

 9.1. Size:294K  international rectifier
irf3610spbf.pdf pdf_icon

IRF360

IRF3610SPbF HEXFET Power MOSFET Applications D l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS VDSS 100V l Uninterruptible Power Supply RDS(on) typ. 9.3m l High Speed Power Switching G max. 11.6m l Hard Switched and High Frequency Circuits ID S 103A Benefits l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness l Fully Characterized Capacitance and Avalanche

 9.2. Size:258K  inchange semiconductor
irf3610s.pdf pdf_icon

IRF360

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRF3610S FEATURES With To-263(D2PAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Volt

Otros transistores... IRF3315L , IRF3315S , IRF340 , IRF3415 , IRF3415L , IRF3415S , IRF350 , IRF3515S , P60NF06 , IRF3710 , IRF3710L , IRF3710S , IRF430 , IRF440 , IRF450 , IRF451 , IRF452 .

History: BUK9510-30

 

 

 


History: BUK9510-30

🌐 : EN  ES  РУ

social

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: ASB80R750E | ASB70R380E | ASB65R300E | ASB65R220E | ASB65R120EFD | ASB60R150E | ASA80R900E | ASA80R750E | ASA80R290E | ASA70R950E | ASA70R600E | ASA70R380E | ASA70R240E | ASA65R850E | ASA65R550E | ASA65R350E

 

 

 

Popular searches

ksa992 pinout | 2n1308 transistor | p609 | bc327-40 | tip125 | a992 transistor | 2sa913 | 2sc711 datasheet

 

 

↑ Back to Top
.