IRF360 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRF360
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 140 max nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 900 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
Encapsulados: TO3
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IRF360 datasheet
irf360.pdf
PD - 90518 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRF360 400V, N-CHANNEL HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-204AA/AE) Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF360 400V 0.20 25A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this latest State of the Art design a
irf3610spbf.pdf
IRF3610SPbF HEXFET Power MOSFET Applications D l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS VDSS 100V l Uninterruptible Power Supply RDS(on) typ. 9.3m l High Speed Power Switching G max. 11.6m l Hard Switched and High Frequency Circuits ID S 103A Benefits l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness l Fully Characterized Capacitance and Avalanche
irf3610s.pdf
Isc N-Channel MOSFET Transistor IRF3610S FEATURES With To-263(D2PAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Volt
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History: BUK9510-30
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