Справочник MOSFET. IRF360

 

IRF360 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRF360

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 400 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 25 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 210 nC

Выходная емкость (Cd): 4200 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.23 Ohm

Тип корпуса: TO3

Аналог (замена) для IRF360

 

 

IRF360 Datasheet (PDF)

0.1. irf360.pdf Size:139K _international_rectifier

IRF360
IRF360

PD - 90518REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRF360400V, N-CHANNELHEXFETTRANSISTORSTHRU-HOLE (TO-204AA/AE)Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF360 400V 0.20 25AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique processing of this latestState of the Art design a

9.1. irf3610spbf.pdf Size:252K _international_rectifier

IRF360
IRF360

PD - 97638AIRF3610SPbFHEXFET Power MOSFETApplicationsDl High Efficiency Synchronous Rectification in SMPSVDSS100Vl Uninterruptible Power SupplyRDS(on) typ.9.3ml High Speed Power SwitchingG max. 11.6ml Hard Switched and High Frequency Circuits IDS 103ABenefitsl Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtRuggednessl Fully Characterized Capacitance and

9.2. irf3610spbf.pdf Size:294K _infineon

IRF360
IRF360

IRF3610SPbFHEXFET Power MOSFETApplicationsDl High Efficiency Synchronous Rectification in SMPSVDSS100Vl Uninterruptible Power SupplyRDS(on) typ.9.3ml High Speed Power SwitchingG max. 11.6ml Hard Switched and High Frequency Circuits IDS 103ABenefitsl Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtRuggednessl Fully Characterized Capacitance and Avalanche

 9.3. irf3610s.pdf Size:258K _inchange_semiconductor

IRF360
IRF360

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRF3610SFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Volt

Другие MOSFET... IRF3315L , IRF3315S , IRF340 , IRF3415 , IRF3415L , IRF3415S , IRF350 , IRF3515S , IRLR2905 , IRF3710 , IRF3710L , IRF3710S , IRF430 , IRF440 , IRF450 , IRF451 , IRF452 .

 

 
Back to Top