Справочник MOSFET. IRF360

 

IRF360 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRF360

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 400 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 25 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Выходная емкость (Cd): 4200 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.23 Ohm

Тип корпуса: TO3

Аналог (замена) для IRF360

 

 

IRF360 Datasheet (PDF)

1.1. irf360.pdf Size:139K _international_rectifier

IRF360
IRF360

PD - 90518 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRF360 400V, N-CHANNEL HEXFET?TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-204AA/AE) Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF360 400V 0.20? 25A The HEXFET?technology is the key to International Rectifiers advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this latest State of the Art design achieves: very l

Другие MOSFET... IRF3315L , IRF3315S , IRF340 , IRF3415 , IRF3415L , IRF3415S , IRF350 , IRF3515S , IRLR2905 , IRF3710 , IRF3710L , IRF3710S , IRF430 , IRF440 , IRF450 , IRF451 , IRF452 .

Back to Top

 


IRF360
  IRF360
  IRF360
 

social 

Список транзисторов

Обновления

MOSFET: SIHF22N60S | SIHF22N60E | SIHF18N50D | SIHF18N50C | SIHF16N50C | SIHF15N65E | SIHF15N60E | SIHF12N65E | SIHF12N60E | SIHF12N50C | SIHF10N40D | SIHD7N60E | SIHD6N65E | SIHD6N62E | SIHD5N50D |
 


 

 

Back to Top