IRF430 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRF430
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 40(max) nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3
Búsqueda de reemplazo de IRF430 MOSFET
IRF430 Datasheet (PDF)
2n6762 irf430.pdf

PD - 90336FIRF430REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6762HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6762THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF:MIL-PRF-19500/542]500V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF430 500V 1.5 4.5AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique proces
irf430.pdf

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRF430DESCRIPTIONsilicon Gate for fast switching at elevateruggedlow drive requirementsease of parallelingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONShigh speed applications such asSwitching power supplies,AC and DCmotor controlsrelay and solenoid driver.A
Otros transistores... IRF3415L , IRF3415S , IRF350 , IRF3515S , IRF360 , IRF3710 , IRF3710L , IRF3710S , STP65NF06 , IRF440 , IRF450 , IRF451 , IRF452 , IRF453 , IRF460 , IRF4905 , IRF4905L .



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DSE022N10N3 | DSE012N04NA | DHSJ25N65F | DHSJ21N65Z | DHSJ21N65W | DHSJ17N65 | DHSJ13N65 | DHSJ11N65 | DHS065N85P | DHS065N85I | DHS065N85F | DHS065N85E | DHS065N85D | DHS065N85B | DHS065N85 | DHS065N10P
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