IRF430 Todos los transistores

 

IRF430 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF430

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 75 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 500 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 4.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4 V

Carga de compuerta (Qg): 40 nC

Tiempo de elevación (tr): 30 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 110 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.5 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3

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IRF430 Datasheet (PDF)

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 0.3. irf430 irf431 irf432 irf433.pdf Size:211K _samsung

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 0.5. irf430.pdf Size:222K _inchange_semiconductor

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INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRF430DESCRIPTIONsilicon Gate for fast switching at elevateruggedlow drive requirementsease of parallelingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONShigh speed applications such asSwitching power supplies,AC and DCmotor controlsrelay and solenoid driver.A

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