IRF430 Todos los transistores

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IRF430 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF430

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 75 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 4.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Carga de compuerta (Qg): 40 nC

Tiempo de elevación (tr): 30 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 110 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.5 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3

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IRF430 Datasheet (PDF)

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PD - 90336F IRF430 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6762 HEXFET?TRANSISTORS JANTXV2N6762 THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF:MIL-PRF-19500/542] 500V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF430 500V 1.5 ? 4.5A The HEXFET?technology is the key to International Rectifiers advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of thi

1.4. irf430-3.pdf Size:56K _intersil

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IRF430 Data Sheet March 1999 File Number 1572.4 4.5A, 500V, 1.500 Ohm, N-Channel Features Power MOSFET 4.5A, 500V This N-Channel enhancement mode silicon gate power field rDS(ON) = 1.500? effect transistor is an advanced power MOSFET designed, Single Pulse Avalanche Energy Rated tested, and guaranteed to withstand a specified level of energy in the breakdown avalanche mode of opera

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