IRF430 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRF430
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 40(max) nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 40(max) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRF430

IRF430 Datasheet (PDF)

..1. Size:146K international rectifier
2n6762 irf430.pdf

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irf430 irf431 irf432 irf433.pdf

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INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRF430DESCRIPTIONsilicon Gate for fast switching at elevateruggedlow drive requirementsease of parallelingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONShigh speed applications such asSwitching power supplies,AC and DCmotor controlsrelay and solenoid driver.A

0.1. Size:56K intersil
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Liste

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