IRF430 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF430  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 40 max nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm

Encapsulados: TO3

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IRF430 datasheet

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IRF430

PD - 90336F IRF430 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6762 HEXFET TRANSISTORS JANTXV2N6762 THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF MIL-PRF-19500/542] 500V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF430 500V 1.5 4.5A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique proces

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IRF430

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IRF430

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IRF430 DESCRIPTION silicon Gate for fast switching at elevate rugged low drive requirements ease of paralleling Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS high speed applications such as Switching power supplies,AC and DCmotor controls relay and solenoid driver. A

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