IRF430 - описание и поиск аналогов

 

IRF430 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IRF430
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO3
 

 Аналог (замена) для IRF430

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF430 технические параметры

 ..1. Size:146K  international rectifier
 2n6762 irf430.pdf pdf_icon

IRF430

PD - 90336F IRF430 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6762 HEXFET TRANSISTORS JANTXV2N6762 THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF MIL-PRF-19500/542] 500V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF430 500V 1.5 4.5A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique proces

 ..2. Size:141K  fairchild semi
 irf430.pdf pdf_icon

IRF430

 ..3. Size:211K  samsung
 irf430 irf431 irf432 irf433.pdf pdf_icon

IRF430

 ..4. Size:222K  inchange semiconductor
 irf430.pdf pdf_icon

IRF430

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IRF430 DESCRIPTION silicon Gate for fast switching at elevate rugged low drive requirements ease of paralleling Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS high speed applications such as Switching power supplies,AC and DCmotor controls relay and solenoid driver. A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRF3415L , IRF3415S , IRF350 , IRF3515S , IRF360 , IRF3710 , IRF3710L , IRF3710S , STP65NF06 , IRF440 , IRF450 , IRF451 , IRF452 , IRF453 , IRF460 , IRF4905 , IRF4905L .

 

 
Back to Top

 


 
.