Справочник MOSFET. IRF430

 

IRF430 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRF430
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 40(max) nC
   trⓘ - Время нарастания: 40(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO3

 Аналог (замена) для IRF430

 

 

IRF430 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:146K  international rectifier
2n6762 irf430.pdf

IRF430 IRF430

PD - 90336FIRF430REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6762HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6762THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF:MIL-PRF-19500/542]500V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF430 500V 1.5 4.5AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique proces

 ..2. Size:141K  fairchild semi
irf430.pdf

IRF430 IRF430

 ..3. Size:211K  samsung
irf430 irf431 irf432 irf433.pdf

IRF430 IRF430

 ..4. Size:222K  inchange semiconductor
irf430.pdf

IRF430 IRF430

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRF430DESCRIPTIONsilicon Gate for fast switching at elevateruggedlow drive requirementsease of parallelingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONShigh speed applications such asSwitching power supplies,AC and DCmotor controlsrelay and solenoid driver.A

 0.1. Size:56K  intersil
irf430-3.pdf

IRF430 IRF430

IRF430Data Sheet March 1999 File Number 1572.44.5A, 500V, 1.500 Ohm, N-Channel FeaturesPower MOSFET 4.5A, 500VThis N-Channel enhancement mode silicon gate power field rDS(ON) = 1.500effect transistor is an advanced power MOSFET designed, Single Pulse Avalanche Energy Ratedtested, and guaranteed to withstand a specified level ofenergy in the breakdown avalanche mo

Другие MOSFET... IRF3415L , IRF3415S , IRF350 , IRF3515S , IRF360 , IRF3710 , IRF3710L , IRF3710S , IRF1405 , IRF440 , IRF450 , IRF451 , IRF452 , IRF453 , IRF460 , IRF4905 , IRF4905L .

 

 
Back to Top