SSS12N60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSS12N60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.65 Ohm
Encapsulados: TO220F
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SSS12N60 datasheet
sss12n60.pdf
Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd SSS12N60 N N-CHANNEL MOSFET Package MAIN CHARACTERISTICS 12 A ID 600 V VDSS Rdson 0.65 @Vgs=10V 39nC Qg APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS
sss1206h.pdf
SSS1206H Main Product Characteristics VDSS 120V RDS(on) 4.7m (typ.) ID 180A Marking and pin TO-247 Schematic diagram Assignment Features and Benefits Advanced Process Technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery 175 oper
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