SSS12N60 - описание и поиск аналогов

 

SSS12N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSS12N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для SSS12N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSS12N60 даташит

 ..1. Size:8243K  shenzhen
 sss12n60.pdf pdf_icon

SSS12N60

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd SSS12N60 N N-CHANNEL MOSFET Package MAIN CHARACTERISTICS 12 A ID 600 V VDSS Rdson 0.65 @Vgs=10V 39nC Qg APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS

 9.1. Size:491K  silikron
 sss1206.pdf pdf_icon

SSS12N60

 9.2. Size:337K  silikron
 sss1206h.pdf pdf_icon

SSS12N60

SSS1206H Main Product Characteristics VDSS 120V RDS(on) 4.7m (typ.) ID 180A Marking and pin TO-247 Schematic diagram Assignment Features and Benefits Advanced Process Technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery 175 oper

Другие MOSFET... SIA519 , XP151A13AO , XP152A12CO , 20N06 , 60N03 , 70N03 , 90N03 , SSS10N60 , 7N60 , SSS1N60 , SSS2N60 , SSS5N60 , SSS7N60 , SSS8N60 , 1002 , 1115 , 1515 .

History: SI2301 | G1601

 

 

 

 

↑ Back to Top
.