G1601 Todos los transistores

 

G1601 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: G1601
   Código: G1601
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

 Búsqueda de reemplazo de G1601 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

G1601 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2281K  goford
 g1601.pdf pdf_icon

G1601

GOFORDG1601DESCRIPTION DThe G1601 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate Gvoltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. SGENERAL FEATURES Schematic diagram VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID(Typ) @ (Typ) @-2.5V -4.5V -20V55m 70m -2.6AG1601

 0.1. Size:131K  renesas
 rej03g1601 h7p1002dldsds.pdf pdf_icon

G1601

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

Otros transistores... SSS1N60 , SSS2N60 , SSS5N60 , SSS7N60 , SSS8N60 , 1002 , 1115 , 1515 , 2SK3918 , 2300 , 2301 , 2302 , 3035 , 3400 , 3401 , 3415 , 6616 .

History: 2N6787 | IRFU6215 | BF909 | APT20M22LVFR

 

 
Back to Top

 


 
.