G1601 - описание и поиск аналогов

 

G1601. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: G1601

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для G1601

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G1601 даташит

 ..1. Size:2281K  goford
 g1601.pdf pdf_icon

G1601

GOFORD G1601 DESCRIPTION D The G1601 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate G voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S GENERAL FEATURES Schematic diagram VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID (Typ) @ (Typ) @-2.5V -4.5V -20V 55m 70m -2.6 A G1601

 0.1. Size:131K  renesas
 rej03g1601 h7p1002dldsds.pdf pdf_icon

G1601

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

Другие MOSFET... SSS1N60 , SSS2N60 , SSS5N60 , SSS7N60 , SSS8N60 , 1002 , 1115 , 1515 , EMB04N03H , 2300 , 2301 , 2302 , 3035 , 3400 , 3401 , 3415 , 6616 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.