6703 Todos los transistores

 

6703 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 6703
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03(0.08) Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23-6
 

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6703 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2965K  goford
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6703

GOFORD6703Description The 6703 combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON). . General Features N-Channel VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID N-Channel P-Channel @4.5V (Typ) @2.5V (Typ)20V30m 37m 2.9A P-Channel VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID(Typ) @-2.5V @-4.5V (Typ)Marking and pin assignment -20V80m 110

 0.1. Size:48K  sensitron
 shd226703.pdf pdf_icon

6703

SHD226703 SENSITRON SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA DATASHEET 4193, REV. - HERMETIC POWER MOSFET - N-CHANNEL FEATURES: 200 Volt, 0.08 Ohm, 27A MOSFET Isolated Hermetic Metal Package Low RDS (on) MAXIMUM RATINGS ALL RATINGS ARE AT TC = 25C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED. RATING SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNITS GATE TO SOURCE VOLTAGE VGS - - Volts 20 ON-STATE DRAIN C

 0.2. Size:196K  inchange semiconductor
 2n6703.pdf pdf_icon

6703

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2N6703DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 110V(Min)CEO(SUS)High Switching SpeedLow Saturation VoltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for converters, inverters, pulse-width-modulatedregulators and a variety of power switc

Otros transistores... 2300 , 2301 , 2302 , 3035 , 3400 , 3401 , 3415 , 6616 , IRFZ44N , 6760 , 7080 , 8070 , 8680 , G29 , G33 , G37 , G3N15 .

 

 
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