6703 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 6703
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03(0.08) Ohm
Encapsulados: SOT23-6
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6703 datasheet
6703.pdf
GOFORD 6703 Description The 6703 combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON). . General Features N-Channel VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID N-Channel P-Channel @4.5V (Typ) @2.5V (Typ) 20V 30m 37m 2.9 A P-Channel VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID (Typ) @-2.5V @-4.5V (Typ) Marking and pin assignment -20V 80m 110
shd226703.pdf
SHD226703 SENSITRON SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA DATASHEET 4193, REV. - HERMETIC POWER MOSFET - N-CHANNEL FEATURES 200 Volt, 0.08 Ohm, 27A MOSFET Isolated Hermetic Metal Package Low RDS (on) MAXIMUM RATINGS ALL RATINGS ARE AT TC = 25 C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED. RATING SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNITS GATE TO SOURCE VOLTAGE VGS - - Volts 20 ON-STATE DRAIN C
2n6703.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2N6703 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 110V(Min) CEO(SUS) High Switching Speed Low Saturation Voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for converters, inverters, pulse-width-modulated regulators and a variety of power switc
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