7080 Todos los transistores

 

7080 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 7080
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 70 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 430 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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Principales características: 7080

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7080

GOFORD 7080 Features Applications VDSS=70V VGSS= 25V ID=80A Power Management in Inverter System Synchronous Rectification RDS(ON)=8m (max.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Switching Time Test Circuit and Pin Description Waveforms Page 1

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7080

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7080

RU7080L N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 70V/80A, D RDS (ON) =5.7m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G S TO252 D Applications Power Supply G S N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Unit C

 0.3. Size:1227K  ruichips
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7080

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