7080 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 7080  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 70 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 430 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm

Encapsulados: TO220

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7080 datasheet

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7080

GOFORD 7080 Features Applications VDSS=70V VGSS= 25V ID=80A Power Management in Inverter System Synchronous Rectification RDS(ON)=8m (max.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Switching Time Test Circuit and Pin Description Waveforms Page 1

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7080

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7080

RU7080L N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 70V/80A, D RDS (ON) =5.7m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G S TO252 D Applications Power Supply G S N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Unit C

 0.3. Size:1227K  ruichips
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7080

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