7080 - описание и поиск аналогов

 

7080. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 7080

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 70 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для 7080

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

7080 даташит

 ..1. Size:1118K  goford
7080.pdfpdf_icon

7080

GOFORD 7080 Features Applications VDSS=70V VGSS= 25V ID=80A Power Management in Inverter System Synchronous Rectification RDS(ON)=8m (max.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Switching Time Test Circuit and Pin Description Waveforms Page 1

 0.1. Size:209K  1
2n7080.pdfpdf_icon

7080

 0.2. Size:328K  ruichips
ru7080l.pdfpdf_icon

7080

RU7080L N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 70V/80A, D RDS (ON) =5.7m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G S TO252 D Applications Power Supply G S N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Unit C

 0.3. Size:1227K  ruichips
ru7080s.pdfpdf_icon

7080

Другие MOSFET... 2302 , 3035 , 3400 , 3401 , 3415 , 6616 , 6703 , 6760 , IRF740 , 8070 , 8680 , G29 , G33 , G37 , G3N15 , G50N10 , G60N04 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.