8070 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 8070
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 8070

8070 Datasheet (PDF)

..1. Size:1398K goford
8070.pdf

GOFORD8070Features Applications VDSS=80VVGSS=25VID=70A Synchronous Rectification Power Management in Inverter System RDS(ON)=11m(Max.)@VGS=10V Avalanche Rated Reliable and Rugged Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Switching Time Test Circuit and Pin Description Waveforms Page 1HTTP://www.

0.1. Size:234K toshiba
tpcc8070.pdf

TPCC8070MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS)TPCC8070TPCC8070TPCC8070TPCC80701. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Small, thin package(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 10.8 m (typ.) (VGS = 10 V)(3) Low

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Liste

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