8070 Todos los transistores

 

8070 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 8070

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm

Encapsulados: TO220

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8070 datasheet

 ..1. Size:1398K  goford
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8070

GOFORD 8070 Features Applications VDSS=80V VGSS= 25V ID=70A Synchronous Rectification Power Management in Inverter System RDS(ON)=11m (Max.)@VGS=10V Avalanche Rated Reliable and Rugged Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Switching Time Test Circuit and Pin Description Waveforms Page 1 HTTP //www.

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8070

TPCC8070 MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS ) TPCC8070 TPCC8070 TPCC8070 TPCC8070 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Small, thin package (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 10.8 m (typ.) (VGS = 10 V) (3) Low

Otros transistores... 3035 , 3400 , 3401 , 3415 , 6616 , 6703 , 6760 , 7080 , IRF840 , 8680 , G29 , G33 , G37 , G3N15 , G50N10 , G60N04 , G66 .

History: IRF530NLPBF | MMBF5485

 

 

 

 

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