8070 - описание и поиск аналогов

 

8070. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 8070

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для 8070

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

8070 даташит

 ..1. Size:1398K  goford
 8070.pdf pdf_icon

8070

GOFORD 8070 Features Applications VDSS=80V VGSS= 25V ID=70A Synchronous Rectification Power Management in Inverter System RDS(ON)=11m (Max.)@VGS=10V Avalanche Rated Reliable and Rugged Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Switching Time Test Circuit and Pin Description Waveforms Page 1 HTTP //www.

 0.1. Size:234K  toshiba
 tpcc8070.pdf pdf_icon

8070

TPCC8070 MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS ) TPCC8070 TPCC8070 TPCC8070 TPCC8070 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Small, thin package (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 10.8 m (typ.) (VGS = 10 V) (3) Low

Другие MOSFET... 3035 , 3400 , 3401 , 3415 , 6616 , 6703 , 6760 , 7080 , IRF840 , 8680 , G29 , G33 , G37 , G3N15 , G50N10 , G60N04 , G66 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.