Справочник MOSFET. 8070

 

8070 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 8070
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для 8070

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

8070 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1398K  goford
 8070.pdf pdf_icon

8070

GOFORD8070Features Applications VDSS=80VVGSS=25VID=70A Synchronous Rectification Power Management in Inverter System RDS(ON)=11m(Max.)@VGS=10V Avalanche Rated Reliable and Rugged Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Switching Time Test Circuit and Pin Description Waveforms Page 1HTTP://www.

 0.1. Size:234K  toshiba
 tpcc8070.pdf pdf_icon

8070

TPCC8070MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS)TPCC8070TPCC8070TPCC8070TPCC80701. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Small, thin package(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 10.8 m (typ.) (VGS = 10 V)(3) Low

Другие MOSFET... 3035 , 3400 , 3401 , 3415 , 6616 , 6703 , 6760 , 7080 , IRF840 , 8680 , G29 , G33 , G37 , G3N15 , G50N10 , G60N04 , G66 .

History: SVF2N60F | RU70E15L | RU75230S | IXTA1N100 | FDT434P | PHD50N03LT | IRLML6401

 

 
Back to Top

 


 
.