8680 Todos los transistores

 

8680 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 8680
   Código: 8680
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 86 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 58 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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8680 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2265K  goford
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8680

GOFORD8680DESCRIPTIONThe 8680 uses advanced trench technology andVDSS RDS(ON) IDdesign to provide excellent R with low gateDS(ON)6.886V m 80Acharge. It can be used in a wide variety ofapplications.GENERAL FEATURES VDS =86V,ID =80ARDS(ON)

 0.1. Size:266K  fairchild semi
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8680

October 2014FDMS8680tmN-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 35A, 7.0mFeatures General Description Max rDS(on) = 7.0m at VGS = 10V, ID = 14A The FDMS8680 has been designed to minimize losses in power conversion application. Advancements in both silicon and Max rDS(on) = 11.0m at VGS = 4.5V, ID = 11.5Apackage technologies have been combined to offer the lowest Advance

 0.2. Size:1527K  goford
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8680

GOFORD8680AGeneral Description The 8680A is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Rugged EAS capability and ultra low RDS(ON) is suitable for PWM, load switching especially for E-Bike controller applications. Schematic DiagramFeatures RDS(ON) VDSS ID @10V (typ) 80V 92A 6.6 mMarking and pin assignment Special D

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