8680 - аналоги и даташиты транзистора

 

8680 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 8680
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 86 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для 8680

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

8680 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2265K  goford
 8680.pdf pdf_icon

8680

GOFORD8680DESCRIPTIONThe 8680 uses advanced trench technology andVDSS RDS(ON) IDdesign to provide excellent R with low gateDS(ON)6.886V m 80Acharge. It can be used in a wide variety ofapplications.GENERAL FEATURES VDS =86V,ID =80ARDS(ON)

 0.1. Size:266K  fairchild semi
 fdms8680.pdf pdf_icon

8680

October 2014FDMS8680tmN-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 35A, 7.0mFeatures General Description Max rDS(on) = 7.0m at VGS = 10V, ID = 14A The FDMS8680 has been designed to minimize losses in power conversion application. Advancements in both silicon and Max rDS(on) = 11.0m at VGS = 4.5V, ID = 11.5Apackage technologies have been combined to offer the lowest Advance

 0.2. Size:1527K  goford
 8680a.pdf pdf_icon

8680

GOFORD8680AGeneral Description The 8680A is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Rugged EAS capability and ultra low RDS(ON) is suitable for PWM, load switching especially for E-Bike controller applications. Schematic DiagramFeatures RDS(ON) VDSS ID @10V (typ) 80V 92A 6.6 mMarking and pin assignment Special D

Другие MOSFET... 3400 , 3401 , 3415 , 6616 , 6703 , 6760 , 7080 , 8070 , IRF840 , G29 , G33 , G37 , G3N15 , G50N10 , G60N04 , G66 , G66-3L .

 

 
Back to Top

 


 
.