8680 - описание и поиск аналогов

 

8680. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 8680

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 86 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для 8680

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

8680 даташит

 ..1. Size:2265K  goford
 8680.pdf pdf_icon

8680

GOFORD 8680 DESCRIPTION The 8680 uses advanced trench technology and VDSS RDS(ON) ID design to provide excellent R with low gate DS(ON) 6.8 86V m 80A charge. It can be used in a wide variety of applications. GENERAL FEATURES VDS =86V,ID =80A RDS(ON)

 0.1. Size:266K  fairchild semi
 fdms8680.pdf pdf_icon

8680

October 2014 FDMS8680 tm N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 35A, 7.0m Features General Description Max rDS(on) = 7.0m at VGS = 10V, ID = 14A The FDMS8680 has been designed to minimize losses in power conversion application. Advancements in both silicon and Max rDS(on) = 11.0m at VGS = 4.5V, ID = 11.5A package technologies have been combined to offer the lowest Advance

 0.2. Size:1527K  goford
 8680a.pdf pdf_icon

8680

GOFORD 8680A General Description The 8680A is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Rugged EAS capability and ultra low RDS(ON) is suitable for PWM, load switching especially for E-Bike controller applications. Schematic Diagram Features RDS(ON) VDSS ID @10V (typ) 80V 92A 6.6 m Marking and pin assignment Special D

Другие MOSFET... 3400 , 3401 , 3415 , 6616 , 6703 , 6760 , 7080 , 8070 , 20N60 , G29 , G33 , G37 , G3N15 , G50N10 , G60N04 , G66 , G66-3L .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.