G3N15 Todos los transistores

 

G3N15 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: G3N15

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 36 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm

Encapsulados: SOT223-3L

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G3N15 datasheet

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G3N15

GOFORD G3N15 Description D The G3N15 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It G can be used in a wide variety of applications. General Features S Schematic diagram VDSS RDS(ON) ID @ 10V (typ) 3 A 150V 260m High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and current

Otros transistores... 6703 , 6760 , 7080 , 8070 , 8680 , G29 , G33 , G37 , IRFP460 , G50N10 , G60N04 , G66 , G66-3L , G68 , G69 , G80N06 , G96 .

 

 

 

 

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