Справочник MOSFET. G3N15

 

G3N15 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: G3N15
   Маркировка: G3N15
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 8 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 36 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: SOT223-3L
 

 Аналог (замена) для G3N15

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G3N15 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1737K  goford
 g3n15.pdf pdf_icon

G3N15

GOFORDG3N15Description DThe G3N15 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It Gcan be used in a wide variety of applications. General Features S Schematic diagram VDSS RDS(ON) ID @10V (typ) 3 A150V 260m High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and current

Другие MOSFET... 6703 , 6760 , 7080 , 8070 , 8680 , G29 , G33 , G37 , IRF640 , G50N10 , G60N04 , G66 , G66-3L , G68 , G69 , G80N06 , G96 .

History: FQP10N20C | IXTP260N055T2

 

 
Back to Top

 


 
.