G3N15 - описание и поиск аналогов

 

G3N15. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: G3N15

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 36 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: SOT223-3L

Аналог (замена) для G3N15

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G3N15 даташит

 ..1. Size:1737K  goford
 g3n15.pdf pdf_icon

G3N15

GOFORD G3N15 Description D The G3N15 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It G can be used in a wide variety of applications. General Features S Schematic diagram VDSS RDS(ON) ID @ 10V (typ) 3 A 150V 260m High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and current

Другие MOSFET... 6703 , 6760 , 7080 , 8070 , 8680 , G29 , G33 , G37 , IRFP460 , G50N10 , G60N04 , G66 , G66-3L , G68 , G69 , G80N06 , G96 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.