G60N04 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: G60N04
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 17.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 280 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
Búsqueda de reemplazo de G60N04 MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
G60N04 datasheet
g60n04 to220.pdf
GOFORD G60N04 Description The G60N04 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID @4.5V (Typ) @ 10V (Typ) 40V 12.5m 8.5 m 60 A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized aval
g60n04.pdf
GOFORD .G60N04 Description The G60N04 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID @4.5V (Typ) @ 10V (Typ) 45V 11 m 9.7 m 60 A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized aval
g60n04 to252.pdf
GOFORD G60N04 Description The G60N04 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID @4.5V (Typ) @ 10V (Typ) 40V 12.5m 8.5 m 60 A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized aval
jmtg60n04b.pdf
JMTG60N04B Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 40V, 50A Load Switch RDS(ON)
Otros transistores... 7080 , 8070 , 8680 , G29 , G33 , G37 , G3N15 , G50N10 , IRF640 , G66 , G66-3L , G68 , G69 , G80N06 , G96 , GD1 , G22 .
History: FCPF36N60N
History: FCPF36N60N
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E | ASD65R350E | ASD65R300E | ASD65R280E | ASD65R270E | ASD60R330E | ASD60R280E | ASB80R750E | ASB70R380E | ASB65R300E | ASB65R220E
Popular searches
4508nh mosfet | a94 transistor | c5149 datasheet | m1830m mosfet | pkch2bb mosfet | 2024ont | 2n1306 transistor | 2sa750 datasheet