G60N04 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: G60N04
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 17.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 280 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220 TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET G60N04

G60N04 Datasheet (PDF)

..1. Size:1281K goford
g60n04 to220.pdf

GOFORDG60N04Description The G60N04 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID @4.5V (Typ) @10V (Typ)40V12.5m 8.5 m 60A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized aval

..2. Size:1322K goford
g60n04.pdf

GOFORD.G60N04Description The G60N04 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID @4.5V (Typ) @10V (Typ)45V11 m 9.7 m 60A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized aval

..3. Size:1315K goford
g60n04 to252.pdf

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