G60N04 - аналоги и даташиты транзистора

 

G60N04 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: G60N04
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: TO220 TO252
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G60N04 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1281K  goford
 g60n04 to220.pdf pdf_icon

G60N04

GOFORDG60N04Description The G60N04 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID @4.5V (Typ) @10V (Typ)40V12.5m 8.5 m 60A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized aval

 ..2. Size:1322K  goford
 g60n04.pdf pdf_icon

G60N04

GOFORD.G60N04Description The G60N04 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID @4.5V (Typ) @10V (Typ)45V11 m 9.7 m 60A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized aval

 ..3. Size:1315K  goford
 g60n04 to252.pdf pdf_icon

G60N04

GOFORDG60N04Description The G60N04 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID @4.5V (Typ) @10V (Typ)40V12.5m 8.5 m 60A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized aval

 0.1. Size:516K  jiejie micro
 jmtg60n04b.pdf pdf_icon

G60N04

JMTG60N04BDescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications 40V, 50A Load SwitchRDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 7080 , 8070 , 8680 , G29 , G33 , G37 , G3N15 , G50N10 , IRFP460 , G66 , G66-3L , G68 , G69 , G80N06 , G96 , GD1 , G22 .

History: PHU77NQ03T

 

 
Back to Top

 


 
.