G60N04 - описание и поиск аналогов

 

G60N04. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: G60N04

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm

Тип корпуса: TO220 TO252

Аналог (замена) для G60N04

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G60N04 даташит

 ..1. Size:1281K  goford
 g60n04 to220.pdf pdf_icon

G60N04

GOFORD G60N04 Description The G60N04 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID @4.5V (Typ) @ 10V (Typ) 40V 12.5m 8.5 m 60 A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized aval

 ..2. Size:1322K  goford
 g60n04.pdf pdf_icon

G60N04

GOFORD .G60N04 Description The G60N04 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID @4.5V (Typ) @ 10V (Typ) 45V 11 m 9.7 m 60 A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized aval

 ..3. Size:1315K  goford
 g60n04 to252.pdf pdf_icon

G60N04

GOFORD G60N04 Description The G60N04 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID @4.5V (Typ) @ 10V (Typ) 40V 12.5m 8.5 m 60 A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized aval

 0.1. Size:516K  jiejie micro
 jmtg60n04b.pdf pdf_icon

G60N04

JMTG60N04B Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 40V, 50A Load Switch RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 7080 , 8070 , 8680 , G29 , G33 , G37 , G3N15 , G50N10 , IRF640 , G66 , G66-3L , G68 , G69 , G80N06 , G96 , GD1 , G22 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.