G66-3L Todos los transistores

 

G66-3L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: G66-3L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 16 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2X2-3L
 

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G66-3L PDF Specs

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G66-3L

GOFORD G66 D Description The G66 uses advanced trench technology to provide G excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S Schematic diagram General Features VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID (Typ) @-2.5V @-4.5V (Typ) -16V 32 m 45m -5.8 A High Power... See More ⇒

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