G66-3L Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: G66-3L  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 16 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm

Encapsulados: DFN2X2-3L

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G66-3L datasheet

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G66-3L

GOFORD G66 D Description The G66 uses advanced trench technology to provide G excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S Schematic diagram General Features VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID (Typ) @-2.5V @-4.5V (Typ) -16V 32 m 45m -5.8 A High Power

Otros transistores... 8680, G29, G33, G37, G3N15, G50N10, G60N04, G66, IRLZ44N, G68, G69, G80N06, G96, GD1, G22, G23, G11