G66-3L Todos los transistores

 

G66-3L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: G66-3L

Código: G66

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1.7 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 16 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 12 V

Corriente continua de drenaje (Id): 5.8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 35 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 290 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.045 Ohm

Empaquetado / Estuche: DFN2X2-3L

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G66-3L Datasheet (PDF)

1.1. g66-3l.pdf Size:1729K _goford

G66-3L
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GOFORD G66 D Description The G66 uses advanced trench technology to provide G excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S Schematic diagram General Features ● VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID (Typ) @-2.5V @-4.5V (Typ) -16V 32 mΩ 45mΩ -5.8 A ● High Power

Otros transistores... IRFP333 , IRFP340 , IRFP340A , IRFP341 , IRFP342 , IRFP343 , IRFP344 , IRFP350 , 75339P , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRFP354 , IRFP360 , IRFP360LC .

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