Справочник MOSFET. G66-3L

 

G66-3L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: G66-3L
   Маркировка: G66
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 16 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 7.8 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X2-3L
 

 Аналог (замена) для G66-3L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G66-3L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1729K  goford
 g66-3l.pdf pdf_icon

G66-3L

GOFORDG66DDescription The G66 uses advanced trench technology to provide Gexcellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. SSchematic diagram General Features VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID(Typ) @-2.5V @-4.5V (Typ)-16V 32 m 45m -5.8A High Power

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFP460 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top

 


 
.