Справочник MOSFET. G66-3L

 

G66-3L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: G66-3L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 16 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X2-3L
 

 Аналог (замена) для G66-3L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G66-3L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1729K  goford
 g66-3l.pdf pdf_icon

G66-3L

GOFORDG66DDescription The G66 uses advanced trench technology to provide Gexcellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. SSchematic diagram General Features VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID(Typ) @-2.5V @-4.5V (Typ)-16V 32 m 45m -5.8A High Power

Другие MOSFET... 8680 , G29 , G33 , G37 , G3N15 , G50N10 , G60N04 , G66 , IRFP260N , G68 , G69 , G80N06 , G96 , GD1 , G22 , G23 , G11 .

History: ME60N03 | APT6035SVR

 

 
Back to Top

 


 
.