G66-3L - описание и поиск аналогов

 

G66-3L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: G66-3L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 16 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm

Тип корпуса: DFN2X2-3L

Аналог (замена) для G66-3L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G66-3L даташит

 ..1. Size:1729K  goford
 g66-3l.pdf pdf_icon

G66-3L

GOFORD G66 D Description The G66 uses advanced trench technology to provide G excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S Schematic diagram General Features VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID (Typ) @-2.5V @-4.5V (Typ) -16V 32 m 45m -5.8 A High Power

Другие MOSFET... 8680 , G29 , G33 , G37 , G3N15 , G50N10 , G60N04 , G66 , IRLZ44N , G68 , G69 , G80N06 , G96 , GD1 , G22 , G23 , G11 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.