G68 Todos los transistores

 

G68 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: G68

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 18 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 390 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm

Encapsulados: DFN2X2-6L

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G68 datasheet

 ..1. Size:1419K  goford
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G68

GOFORD G68 Description D The G68 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate G voltages .This device is suitable for use as a load switching application and a wide variety of other applications. S General Features Schematic diagram VDSS RDS(ON) ID @ - 4.5V (typ) -7 A -18V 20m Advanced trench MOSFET proc

 0.1. Size:140K  diodes
 dmg6898lsd.pdf pdf_icon

G68

DMG6898LSD DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Mechanical Data Low On-Resistance Case SO-8 Low Input Capacitance Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Fast Switching Speed Moisture Sensitivity Level 1 per J-STD-020 Low Input/Output Leakage Terminal Connections See Di

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