Справочник MOSFET. G68

 

G68 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: G68
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 18 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X2-6L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

G68 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1419K  goford
g68.pdfpdf_icon

G68

GOFORD G68Description DThe G68 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate Gvoltages .This device is suitable for use as a load switching application and a wide variety of other applications. SGeneral Features Schematic diagram VDSS RDS(ON) ID @- 4.5V (typ)-7 A-18V20m Advanced trench MOSFET proc

 0.1. Size:140K  diodes
dmg6898lsd.pdfpdf_icon

G68

DMG6898LSDDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Mechanical Data Low On-Resistance Case: SO-8 Low Input Capacitance Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Fast Switching Speed Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 Low Input/Output Leakage Terminal Connections: See Di

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: IRF6215L | IRFR9022 | NDT6N70 | AOD4112 | APT10050B2VFR | IPD50R280CE | IRLSZ44A

 

 
Back to Top

 


 
.