G68 - описание и поиск аналогов

 

G68. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: G68

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 18 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm

Тип корпуса: DFN2X2-6L

Аналог (замена) для G68

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G68 даташит

 ..1. Size:1419K  goford
 g68.pdf pdf_icon

G68

GOFORD G68 Description D The G68 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate G voltages .This device is suitable for use as a load switching application and a wide variety of other applications. S General Features Schematic diagram VDSS RDS(ON) ID @ - 4.5V (typ) -7 A -18V 20m Advanced trench MOSFET proc

 0.1. Size:140K  diodes
 dmg6898lsd.pdf pdf_icon

G68

DMG6898LSD DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Mechanical Data Low On-Resistance Case SO-8 Low Input Capacitance Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Fast Switching Speed Moisture Sensitivity Level 1 per J-STD-020 Low Input/Output Leakage Terminal Connections See Di

Другие MOSFET... G29 , G33 , G37 , G3N15 , G50N10 , G60N04 , G66 , G66-3L , IRFB4110 , G69 , G80N06 , G96 , GD1 , G22 , G23 , G11 , G16 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.