Справочник MOSFET. G68

 

G68 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: G68
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 18 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X2-6L
 

 Аналог (замена) для G68

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G68 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1419K  goford
g68.pdfpdf_icon

G68

GOFORD G68Description DThe G68 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate Gvoltages .This device is suitable for use as a load switching application and a wide variety of other applications. SGeneral Features Schematic diagram VDSS RDS(ON) ID @- 4.5V (typ)-7 A-18V20m Advanced trench MOSFET proc

 0.1. Size:140K  diodes
dmg6898lsd.pdfpdf_icon

G68

DMG6898LSDDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Mechanical Data Low On-Resistance Case: SO-8 Low Input Capacitance Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Fast Switching Speed Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 Low Input/Output Leakage Terminal Connections: See Di

Другие MOSFET... G29 , G33 , G37 , G3N15 , G50N10 , G60N04 , G66 , G66-3L , IRF640N , G69 , G80N06 , G96 , GD1 , G22 , G23 , G11 , G16 .

History: KP103L | FRE160D | APT6027HVR | BUK9524-55 | FQP4N80 | APT40M70LVR | PHT8N06LT

 

 
Back to Top

 


 
.