G80N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: G80N06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 85 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220 TO251 TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET G80N06

G80N06 Datasheet (PDF)

..1. Size:1108K goford
g80n06 to251.pdf

GOFORDG80N06Description The G80N06 uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It can be DS(ON) used in a wide variety of applications. General Features VDSS RDS(ON) IDSchematic diagram @ (typ)4.5V 60V m 9.5 80 A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and curren

..2. Size:1155K goford
g80n06 to220.pdf