G80N06 - описание и поиск аналогов

 

G80N06. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: G80N06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: TO220 TO251 TO252

Аналог (замена) для G80N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G80N06 даташит

 ..1. Size:1108K  goford
 g80n06 to251.pdf pdf_icon

G80N06

GOFORD G80N06 Description The G80N06 uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It can be DS(ON) used in a wide variety of applications. General Features VDSS RDS(ON) ID Schematic diagram @ (typ) 4.5V 60V m 9.5 80 A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and curren

 ..2. Size:1155K  goford
 g80n06 to220.pdf pdf_icon

G80N06

GOFORD G80N06 Description The G80N06 uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It can be DS(ON) used in a wide variety of applications. General Features VDSS RDS(ON) ID Schematic diagram @ (typ) 4.5V 60V m 9.5 80 A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and curre

 ..3. Size:1149K  goford
 g80n06 to252.pdf pdf_icon

G80N06

GOFORD G80N06 Description The G80N06 uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It can be DS(ON) used in a wide variety of applications. General Features VDSS RDS(ON) ID Schematic diagram @ (typ) 4.5V 60V m 9.5 80 A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and curre

 0.1. Size:544K  cn minos
 mpg80n06p mdt80n06d.pdf pdf_icon

G80N06

60V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION The MPG80N06 uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge. It can be used in a wide DS(ON) variety of applications. KEY CHARACTERISTICS V = 60V,I = 80A DS D R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... G37 , G3N15 , G50N10 , G60N04 , G66 , G66-3L , G68 , G69 , IRFP260N , G96 , GD1 , G22 , G23 , G11 , G16 , G17 , 03N06 .

History: IRF840LPBF | SSS12N60 | 2302

 

 

 

 

↑ Back to Top
.