G11 Todos los transistores

 

G11 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: G11
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 580 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 334 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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G11 datasheet

 ..1. Size:35K  rohm
umg11n fmg11a g11 sot353 sot23-5.pdf pdf_icon

G11

(96-384-A123J

 ..2. Size:1953K  goford
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G11

 0.1. Size:739K  1
hyg110p04lq2c2.pdf pdf_icon

G11

HYG110P04LQ2C2 Single P-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description -40V/-55A D D D D D D D D RDS(ON)= 9.0 m (typ.) @VGS = - 10V RDS(ON)= 13.0 m (typ.) @VGS = - 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available G S S S S S S G Pin1 PDFN5*6-8L Applications Switching Application Powe

 0.2. Size:267K  international rectifier
2n7334 irfg110.pdf pdf_icon

G11

PD-90396H IRFG110 JANTX2N7334 JANTXV2N7334 POWER MOSFET REF MIL-PRF-19500/597 THRU-HOLE (MO-036AB) 100V, QUAD N-CHANNEL HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Product Summary Part Number RDS(on) ID IRFG110 0.7 1.0A HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry design achieves very low on-state res

Otros transistores... G66-3L , G68 , G69 , G80N06 , G96 , GD1 , G22 , G23 , AON6414A , G16 , G17 , 03N06 , 05N06 , 100N03 , 100P03 , 10N03 , 110N10 .

 

 
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