G11 - описание и поиск аналогов

 

G11. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: G11

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 580 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 334 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для G11

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G11 даташит

 ..1. Size:35K  rohm
umg11n fmg11a g11 sot353 sot23-5.pdfpdf_icon

G11

(96-384-A123J

 ..2. Size:1953K  goford
g11.pdfpdf_icon

G11

 0.1. Size:739K  1
hyg110p04lq2c2.pdfpdf_icon

G11

HYG110P04LQ2C2 Single P-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description -40V/-55A D D D D D D D D RDS(ON)= 9.0 m (typ.) @VGS = - 10V RDS(ON)= 13.0 m (typ.) @VGS = - 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available G S S S S S S G Pin1 PDFN5*6-8L Applications Switching Application Powe

 0.2. Size:267K  international rectifier
2n7334 irfg110.pdfpdf_icon

G11

PD-90396H IRFG110 JANTX2N7334 JANTXV2N7334 POWER MOSFET REF MIL-PRF-19500/597 THRU-HOLE (MO-036AB) 100V, QUAD N-CHANNEL HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Product Summary Part Number RDS(on) ID IRFG110 0.7 1.0A HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry design achieves very low on-state res

Другие MOSFET... G66-3L , G68 , G69 , G80N06 , G96 , GD1 , G22 , G23 , AON6414A , G16 , G17 , 03N06 , 05N06 , 100N03 , 100P03 , 10N03 , 110N10 .

History: IRFP250M | IRFL024Z | IRFI4410ZG | IRFI4321 | IRFP4368 | G16 | IRFP4242

 

 

 

 

↑ Back to Top
.