ECYA Todos los transistores

 

ECYA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ECYA

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm

Encapsulados: SOT23

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ECYA datasheet

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ECYA

GOFORD ECYA DESCRIPTION D The ECYAuses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate G voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S GENERAL FEATURES Schematic diagram VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID (Typ) @-2.5V @-4.5V (Typ) ECYA -20V 64m 89 m -3 A High Po

Otros transistores... 100P03 , 10N03 , 110N10 , 11N10C , 120N03 , 1402TR , 1404TR , 140N10 , IRF4905 , G1002 , G1002L , G1003A , G1006 , G1006A , G1008 , G2002 , G2003 .

History: 120N03 | 11N10C | G1003A | G1002L | 100P03

 

 

 


 
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