ECYA Todos los transistores

 

ECYA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ECYA
   Código: ECYA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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ECYA Datasheet (PDF)

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ECYA

GOFORDECYADESCRIPTION DThe ECYAuses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate Gvoltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. SGENERAL FEATURES Schematic diagram VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID(Typ) @-2.5V @-4.5V (Typ)ECYA-20V64m 89 m -3A High Po

Otros transistores... 100P03 , 10N03 , 110N10 , 11N10C , 120N03 , 1402TR , 1404TR , 140N10 , IRF4905 , G1002 , G1002L , G1003A , G1006 , G1006A , G1008 , G2002 , G2003 .

 

 
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