ECYA - описание и поиск аналогов

 

ECYA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ECYA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для ECYA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ECYA даташит

 ..1. Size:827K  goford
 ecya.pdf pdf_icon

ECYA

GOFORD ECYA DESCRIPTION D The ECYAuses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate G voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S GENERAL FEATURES Schematic diagram VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID (Typ) @-2.5V @-4.5V (Typ) ECYA -20V 64m 89 m -3 A High Po

Другие MOSFET... 100P03 , 10N03 , 110N10 , 11N10C , 120N03 , 1402TR , 1404TR , 140N10 , IRF4905 , G1002 , G1002L , G1003A , G1006 , G1006A , G1008 , G2002 , G2003 .

History: 05N06

 

 

 

 

↑ Back to Top
.