Справочник MOSFET. ECYA

 

ECYA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ECYA
   Маркировка: ECYA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 12 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для ECYA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ECYA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:827K  goford
 ecya.pdf pdf_icon

ECYA

GOFORDECYADESCRIPTION DThe ECYAuses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate Gvoltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. SGENERAL FEATURES Schematic diagram VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID(Typ) @-2.5V @-4.5V (Typ)ECYA-20V64m 89 m -3A High Po

Другие MOSFET... 100P03 , 10N03 , 110N10 , 11N10C , 120N03 , 1402TR , 1404TR , 140N10 , IRF4905 , G1002 , G1002L , G1003A , G1006 , G1006A , G1008 , G2002 , G2003 .

History: 3N211

 

 
Back to Top

 


 
.