G1003A Todos los transistores

 

G1003A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: G1003A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.145 Ohm

Encapsulados: SOT23-3L

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G1003A datasheet

 ..1. Size:2145K  goford
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G1003A

GOFORD G1003A Description The G1003A uses advanced trench technology and D design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. It is ESD protected. It is ESD protected. It is ESD protected. G General Features VDSS RDS(ON) ID S @ 10V (typ) Schematic diagram 5A m 100V 135 High density cell design fo

 9.1. Size:658K  gfd
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G1003A

G1003 Description The G1003 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be D used in a wide variety of applications. G General Features V = 100V,I = 5A DS D m RDS(ON)

Otros transistores... 11N10C , 120N03 , 1402TR , 1404TR , 140N10 , ECYA , G1002 , G1002L , K3569 , G1006 , G1006A , G1008 , G2002 , G2003 , G2005 , G2005K , G2009 .

History: 11N10C | G1002L | 100P03

 

 

 


 
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