G1003A Todos los transistores

 

G1003A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: G1003A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.145 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23-3L
     - Selección de transistores por parámetros

 

G1003A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2145K  goford
 g1003a.pdf pdf_icon

G1003A

GOFORDG1003ADescription The G1003A uses advanced trench technology and Ddesign to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. It is ESD protected. It is ESD protected.It is ESD protected.GGeneral Features VDSS RDS(ON) IDS @10V (typ)Schematic diagram 5Am100V 135 High density cell design fo

 9.1. Size:658K  gfd
 g1003.pdf pdf_icon

G1003A

G1003 Description The G1003 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be Dused in a wide variety of applications. GGeneral Features V = 100V,I = 5A DS DmRDS(ON)

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History: SIHF9520S | DMN4010LFG | ET2N7002K | IRLB3036GPBF | HM40N20 | AM5853 | WMS10DH04TS

 

 
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