G1003A Todos los transistores

 

G1003A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: G1003A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.145 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23-3L
 

 Búsqueda de reemplazo de G1003A MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

G1003A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2145K  goford
 g1003a.pdf pdf_icon

G1003A

GOFORDG1003ADescription The G1003A uses advanced trench technology and Ddesign to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. It is ESD protected. It is ESD protected.It is ESD protected.GGeneral Features VDSS RDS(ON) IDS @10V (typ)Schematic diagram 5Am100V 135 High density cell design fo

 9.1. Size:658K  gfd
 g1003.pdf pdf_icon

G1003A

G1003 Description The G1003 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be Dused in a wide variety of applications. GGeneral Features V = 100V,I = 5A DS DmRDS(ON)

Otros transistores... 11N10C , 120N03 , 1402TR , 1404TR , 140N10 , ECYA , G1002 , G1002L , SPP20N60C3 , G1006 , G1006A , G1008 , G2002 , G2003 , G2005 , G2005K , G2009 .

History: G1002L

 

 
Back to Top

 


 
.