G1003A - описание и поиск аналогов

 

G1003A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: G1003A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.145 Ohm

Тип корпуса: SOT23-3L

Аналог (замена) для G1003A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G1003A даташит

 ..1. Size:2145K  goford
 g1003a.pdf pdf_icon

G1003A

GOFORD G1003A Description The G1003A uses advanced trench technology and D design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. It is ESD protected. It is ESD protected. It is ESD protected. G General Features VDSS RDS(ON) ID S @ 10V (typ) Schematic diagram 5A m 100V 135 High density cell design fo

 9.1. Size:658K  gfd
 g1003.pdf pdf_icon

G1003A

G1003 Description The G1003 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be D used in a wide variety of applications. G General Features V = 100V,I = 5A DS D m RDS(ON)

Другие MOSFET... 11N10C , 120N03 , 1402TR , 1404TR , 140N10 , ECYA , G1002 , G1002L , K3569 , G1006 , G1006A , G1008 , G2002 , G2003 , G2005 , G2005K , G2009 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.