G2002 Todos los transistores

 

G2002 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: G2002

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.58 Ohm

Encapsulados: TO92

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G2002 datasheet

 ..1. Size:1933K  goford
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G2002

GOFORD G2002 D Description The G2002 uses advanced trench technology and G design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. General Features S Schematic diagram VDSS RDS(ON) ID @ 10V (typ) 520m 200V 2A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and curr

 0.1. Size:1473K  gfd
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G2002

G2002L Description uses advanced trench technology and The G2002L D design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. G General Features S VDS = 200V,ID =2A Schematic diagram R

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