G2002 - описание и поиск аналогов

 

G2002. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: G2002

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.58 Ohm

Тип корпуса: TO92

Аналог (замена) для G2002

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G2002 даташит

 ..1. Size:1933K  goford
 g2002.pdf pdf_icon

G2002

GOFORD G2002 D Description The G2002 uses advanced trench technology and G design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. General Features S Schematic diagram VDSS RDS(ON) ID @ 10V (typ) 520m 200V 2A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and curr

 0.1. Size:1473K  gfd
 g2002l.pdf pdf_icon

G2002

G2002L Description uses advanced trench technology and The G2002L D design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. G General Features S VDS = 200V,ID =2A Schematic diagram R

Другие MOSFET... 140N10 , ECYA , G1002 , G1002L , G1003A , G1006 , G1006A , G1008 , SKD502T , G2003 , G2005 , G2005K , G2009 , G2009K , G20N20 , G2304 , G2305 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.