Справочник MOSFET. G2002

 

G2002 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: G2002
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.58 Ohm
   Тип корпуса: TO92
 

 Аналог (замена) для G2002

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G2002 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1933K  goford
 g2002.pdf pdf_icon

G2002

GOFORDG2002DDescription The G2002 uses advanced trench technology and Gdesign to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. General Features SSchematic diagram VDSS RDS(ON) ID @10V (typ)520m 200V 2A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and curr

 0.1. Size:1473K  gfd
 g2002l.pdf pdf_icon

G2002

G2002LDescription uses advanced trench technology and The G2002L Ddesign to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. GGeneral Features S VDS = 200V,ID =2A Schematic diagram R

Другие MOSFET... 140N10 , ECYA , G1002 , G1002L , G1003A , G1006 , G1006A , G1008 , IRF9540N , G2003 , G2005 , G2005K , G2009 , G2009K , G20N20 , G2304 , G2305 .

History: IRHYS597034CM | IRFP450 | SL60N10Q | SIHFIBC40G | IRFZ48ZSPBF | RHU002N06FRA | SSM9435K

 

 
Back to Top

 


 
.