G2003 Todos los transistores

 

G2003 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: G2003
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.58 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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G2003 Datasheet (PDF)

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G2003

GOFORDG2003Description The G2003 uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It can be DS(ON) used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram VDSS RDS(ON) ID @10V (typ)520m 200V 2.5A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and current

 0.1. Size:1106K  goford
 g2003a.pdf pdf_icon

G2003

GOFORDG2003AN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G2003A uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic Diagram VDS = 190V,ID =3A RDS(ON)

Otros transistores... ECYA , G1002 , G1002L , G1003A , G1006 , G1006A , G1008 , G2002 , IRFB3607 , G2005 , G2005K , G2009 , G2009K , G20N20 , G2304 , G2305 , G2502 .

History: BRS1N70 | FPF1C2P5MF07AM | H02N60J | SE3406 | PMBFJ212 | IRFH3205

 

 
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