G2003 Todos los transistores

 

G2003 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: G2003

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.58 Ohm

Encapsulados: SOP8

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G2003 datasheet

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G2003

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G2003

GOFORD G2003A N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G2003A uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic Diagram VDS = 190V,ID =3A RDS(ON)

Otros transistores... ECYA , G1002 , G1002L , G1003A , G1006 , G1006A , G1008 , G2002 , K4145 , G2005 , G2005K , G2009 , G2009K , G20N20 , G2304 , G2305 , G2502 .

 

 

 

 

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