G2003 - аналоги и даташиты транзистора

 

G2003 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: G2003
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.58 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для G2003

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G2003 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1028K  goford
 g2003.pdf pdf_icon

G2003

GOFORDG2003Description The G2003 uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It can be DS(ON) used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram VDSS RDS(ON) ID @10V (typ)520m 200V 2.5A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and current

 0.1. Size:1106K  goford
 g2003a.pdf pdf_icon

G2003

GOFORDG2003AN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G2003A uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic Diagram VDS = 190V,ID =3A RDS(ON)

Другие MOSFET... ECYA , G1002 , G1002L , G1003A , G1006 , G1006A , G1008 , G2002 , IRFB3607 , G2005 , G2005K , G2009 , G2009K , G20N20 , G2304 , G2305 , G2502 .

History: SE3406 | H02N60J | BRL2N60 | PMBFJ212 | FPF1C2P5MF07AM | IRFH3205 | BRS1N60

 

 
Back to Top

 


 
.