G2003 - описание и поиск аналогов

 

G2003. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: G2003

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.58 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для G2003

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G2003 даташит

 ..1. Size:1028K  goford
 g2003.pdf pdf_icon

G2003

 0.1. Size:1106K  goford
 g2003a.pdf pdf_icon

G2003

GOFORD G2003A N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G2003A uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic Diagram VDS = 190V,ID =3A RDS(ON)

Другие MOSFET... ECYA , G1002 , G1002L , G1003A , G1006 , G1006A , G1008 , G2002 , K4145 , G2005 , G2005K , G2009 , G2009K , G20N20 , G2304 , G2305 , G2502 .

History: SMK0160IS | SMK0160D

 

 

 

 

↑ Back to Top
.