G2005 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: G2005
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.58 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251

Búsqueda de reemplazo de MOSFET G2005

G2005 Datasheet (PDF)

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g2005.pdf

GOFORDG2005Description The G2005 uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram VDSS RDS(ON) ID @10V (typ)520m 200V 5AG2005 High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and curren

0.1. Size:1496K goford
g2005k.pdf

GOFORDG2005KDescription The G2005K uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram VDSS RDS(ON) ID @10V (typ)520m 200V 5A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and current

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