G2005 Todos los transistores

 

G2005 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: G2005
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.58 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

 Búsqueda de reemplazo de G2005 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

G2005 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1700K  goford
 g2005.pdf pdf_icon

G2005

GOFORDG2005Description The G2005 uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram VDSS RDS(ON) ID @10V (typ)520m 200V 5AG2005 High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and curren

 0.1. Size:1496K  goford
 g2005k.pdf pdf_icon

G2005

GOFORDG2005KDescription The G2005K uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram VDSS RDS(ON) ID @10V (typ)520m 200V 5A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and current

Otros transistores... G1002 , G1002L , G1003A , G1006 , G1006A , G1008 , G2002 , G2003 , TK10A60D , G2005K , G2009 , G2009K , G20N20 , G2304 , G2305 , G2502 , G2503 .

 

 
Back to Top

 


 
.