Справочник MOSFET. G2005

 

G2005 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: G2005
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.58 Ohm
   Тип корпуса: TO251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

G2005 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1700K  goford
 g2005.pdf pdf_icon

G2005

GOFORDG2005Description The G2005 uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram VDSS RDS(ON) ID @10V (typ)520m 200V 5AG2005 High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and curren

 0.1. Size:1496K  goford
 g2005k.pdf pdf_icon

G2005

GOFORDG2005KDescription The G2005K uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram VDSS RDS(ON) ID @10V (typ)520m 200V 5A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and current

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRLI640GPBF | HSU4006

 

 
Back to Top

 


 
.