Справочник MOSFET. G2005

 

G2005 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: G2005
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.58 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для G2005

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G2005 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1700K  goford
 g2005.pdf pdf_icon

G2005

GOFORDG2005Description The G2005 uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram VDSS RDS(ON) ID @10V (typ)520m 200V 5AG2005 High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and curren

 0.1. Size:1496K  goford
 g2005k.pdf pdf_icon

G2005

GOFORDG2005KDescription The G2005K uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram VDSS RDS(ON) ID @10V (typ)520m 200V 5A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and current

Другие MOSFET... G1002 , G1002L , G1003A , G1006 , G1006A , G1008 , G2002 , G2003 , TK10A60D , G2005K , G2009 , G2009K , G20N20 , G2304 , G2305 , G2502 , G2503 .

 

 
Back to Top

 


 
.