G2005 - описание и поиск аналогов

 

G2005. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: G2005

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.58 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для G2005

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G2005 даташит

 ..1. Size:1700K  goford
 g2005.pdf pdf_icon

G2005

GOFORD G2005 Description The G2005 uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram VDSS RDS(ON) ID @ 10V (typ) 520m 200V 5A G2005 High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and curren

 0.1. Size:1496K  goford
 g2005k.pdf pdf_icon

G2005

Другие MOSFET... G1002 , G1002L , G1003A , G1006 , G1006A , G1008 , G2002 , G2003 , 13N50 , G2005K , G2009 , G2009K , G20N20 , G2304 , G2305 , G2502 , G2503 .

History: VN66AFD | 2SK2850-01 | SMK0160IS | SMK0160D

 

 

 

 

↑ Back to Top
.