G2009 Todos los transistores

 

G2009 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: G2009

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 55 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm

Encapsulados: TO251

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G2009 datasheet

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G2009

GOFORD G2009 Description The 2009 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDSS RDS(ON) ID Schematic diagram @ 10V (typ) 200V 260m 9A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and current Low g

 0.1. Size:1908K  goford
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G2009

GOFORD G2009K Description uses advanced trench technology and The G2009K design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDSS RDS(ON) ID Schematic diagram @ 10V (typ) 200V 260m 9A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and current

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History: G2009K | IXFN44N50U3

 

 

 

 

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