Справочник MOSFET. G2009

 

G2009 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: G2009
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 16 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для G2009

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G2009 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1073K  goford
 g2009.pdf pdf_icon

G2009

GOFORDG2009Description The 2009 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDSS RDS(ON) ID Schematic diagram @10V (typ) 200V 260m 9A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and current Low g

 0.1. Size:1908K  goford
 g2009k.pdf pdf_icon

G2009

GOFORDG2009KDescription uses advanced trench technology and The G2009K design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDSS RDS(ON) ID Schematic diagram @10V (typ) 200V 260m 9A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and current

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: NTJS3151P

 

 
Back to Top

 


 
.