Справочник MOSFET. G2009

 

G2009 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: G2009
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для G2009

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G2009 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1073K  goford
 g2009.pdf pdf_icon

G2009

GOFORDG2009Description The 2009 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDSS RDS(ON) ID Schematic diagram @10V (typ) 200V 260m 9A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and current Low g

 0.1. Size:1908K  goford
 g2009k.pdf pdf_icon

G2009

GOFORDG2009KDescription uses advanced trench technology and The G2009K design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDSS RDS(ON) ID Schematic diagram @10V (typ) 200V 260m 9A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and current

Другие MOSFET... G1003A , G1006 , G1006A , G1008 , G2002 , G2003 , G2005 , G2005K , 4N60 , G2009K , G20N20 , G2304 , G2305 , G2502 , G2503 , G100N03 , G100N04 .

History: BLP042N15J-P

 

 
Back to Top

 


 
.