G2009 - описание и поиск аналогов

 

G2009. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: G2009

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для G2009

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G2009 даташит

 ..1. Size:1073K  goford
 g2009.pdf pdf_icon

G2009

GOFORD G2009 Description The 2009 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDSS RDS(ON) ID Schematic diagram @ 10V (typ) 200V 260m 9A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and current Low g

 0.1. Size:1908K  goford
 g2009k.pdf pdf_icon

G2009

GOFORD G2009K Description uses advanced trench technology and The G2009K design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDSS RDS(ON) ID Schematic diagram @ 10V (typ) 200V 260m 9A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and current

Другие MOSFET... G1003A , G1006 , G1006A , G1008 , G2002 , G2003 , G2005 , G2005K , 12N60 , G2009K , G20N20 , G2304 , G2305 , G2502 , G2503 , G100N03 , G100N04 .

History: SMK0260IS

 

 

 

 

↑ Back to Top
.