G20N20 Todos los transistores

 

G20N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: G20N20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 163 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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G20N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1639K  goford
 g20n20.pdf pdf_icon

G20N20

GOFORD G20N20 Description The G20N20 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDSS RDS(ON) ID Schematic diagram @10V (Typ)200V 62 m 20 A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and current

 9.1. Size:244K  ixys
 mmix4g20n250.pdf pdf_icon

G20N20

Advance Technical InformationHigh Voltage IGBT VCES = 2500VMMIX4G20N250For Capacitor DischargeIC25 = 23AApplicationsVCE(sat) 3.1VC1 C2Q1 Q2( Electrically Isolated Tab)G2G1E2C4E1C3Q3 Q4 C2H-Bridge ConfigurationG2G4E2C4G3E3E4G4E3E4C1G1E1C3Symbol Test Conditions Maximum RatingsG3VCES TJ = 25C to 150C 2500 VVCGR T

Otros transistores... G1006A , G1008 , G2002 , G2003 , G2005 , G2005K , G2009 , G2009K , IRF530 , G2304 , G2305 , G2502 , G2503 , G100N03 , G100N04 , G10N10 , G110N06 .

History: SFB052N80C2 | S10H16S | STD10N60M2 | NCE65NF068 | DACMI120N120BZK | FXN0303D | TK10A60W

 

 
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