G20N20 Todos los transistores

 

G20N20 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: G20N20

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 163 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm

Encapsulados: TO252

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G20N20 datasheet

 ..1. Size:1639K  goford
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G20N20

GOFORD G20N20 Description The G20N20 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDSS RDS(ON) ID Schematic diagram @ 10V (Typ) 200V 62 m 20 A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and current

 9.1. Size:244K  ixys
 mmix4g20n250.pdf pdf_icon

G20N20

Advance Technical Information High Voltage IGBT VCES = 2500V MMIX4G20N250 For Capacitor Discharge IC25 = 23A Applications VCE(sat) 3.1V C1 C2 Q1 Q2 ( Electrically Isolated Tab) G2 G1 E2C4 E1C3 Q3 Q4 C2 H-Bridge Configuration G2 G4 E2C4 G3 E3E4 G4 E3E4 C1 G1 E1C3 Symbol Test Conditions Maximum Ratings G3 VCES TJ = 25 C to 150 C 2500 V VCGR T

Otros transistores... G1006A , G1008 , G2002 , G2003 , G2005 , G2005K , G2009 , G2009K , IRF1010E , G2304 , G2305 , G2502 , G2503 , G100N03 , G100N04 , G10N10 , G110N06 .

 

 

 

 

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