G20N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: G20N20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 60 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 163 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET G20N20

G20N20 Datasheet (PDF)

..1. Size:1639K goford
g20n20.pdf

GOFORD G20N20 Description The G20N20 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDSS RDS(ON) ID Schematic diagram @10V (Typ)200V 62 m 20 A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and current

9.1. Size:244K ixys
mmix4g20n250.pdf

Advance Technical InformationHigh Voltage IGBT VCES = 2500VMMIX4G20N250For Capacitor DischargeIC25 = 23AApplicationsVCE(sat) 3.1VC1 C2Q1 Q2( Electrically Isolated Tab)G2G1E2C4E1C3Q3 Q4 C2H-Bridge ConfigurationG2G4E2C4G3E3E4G4E3E4C1G1E1C3Symbol Test Conditions Maximum RatingsG3VCES TJ = 25C to 150C 2500 VVCGR T

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: