G20N20 - описание и поиск аналогов

 

G20N20. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: G20N20

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 163 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для G20N20

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G20N20 даташит

 ..1. Size:1639K  goford
 g20n20.pdf pdf_icon

G20N20

GOFORD G20N20 Description The G20N20 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDSS RDS(ON) ID Schematic diagram @ 10V (Typ) 200V 62 m 20 A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and current

 9.1. Size:244K  ixys
 mmix4g20n250.pdf pdf_icon

G20N20

Advance Technical Information High Voltage IGBT VCES = 2500V MMIX4G20N250 For Capacitor Discharge IC25 = 23A Applications VCE(sat) 3.1V C1 C2 Q1 Q2 ( Electrically Isolated Tab) G2 G1 E2C4 E1C3 Q3 Q4 C2 H-Bridge Configuration G2 G4 E2C4 G3 E3E4 G4 E3E4 C1 G1 E1C3 Symbol Test Conditions Maximum Ratings G3 VCES TJ = 25 C to 150 C 2500 V VCGR T

Другие MOSFET... G1006A , G1008 , G2002 , G2003 , G2005 , G2005K , G2009 , G2009K , IRF1010E , G2304 , G2305 , G2502 , G2503 , G100N03 , G100N04 , G10N10 , G110N06 .

History: SSH20N50A

 

 

 

 

↑ Back to Top
.