Справочник MOSFET. G20N20

 

G20N20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: G20N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 163 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для G20N20

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G20N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1639K  goford
 g20n20.pdf pdf_icon

G20N20

GOFORD G20N20 Description The G20N20 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDSS RDS(ON) ID Schematic diagram @10V (Typ)200V 62 m 20 A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and current

 9.1. Size:244K  ixys
 mmix4g20n250.pdf pdf_icon

G20N20

Advance Technical InformationHigh Voltage IGBT VCES = 2500VMMIX4G20N250For Capacitor DischargeIC25 = 23AApplicationsVCE(sat) 3.1VC1 C2Q1 Q2( Electrically Isolated Tab)G2G1E2C4E1C3Q3 Q4 C2H-Bridge ConfigurationG2G4E2C4G3E3E4G4E3E4C1G1E1C3Symbol Test Conditions Maximum RatingsG3VCES TJ = 25C to 150C 2500 VVCGR T

Другие MOSFET... G1006A , G1008 , G2002 , G2003 , G2005 , G2005K , G2009 , G2009K , IRF530 , G2304 , G2305 , G2502 , G2503 , G100N03 , G100N04 , G10N10 , G110N06 .

History: MIC94030YM4TR | KF7N65FM

 

 
Back to Top

 


 
.